大功率;高壓;集成化;智能化;IGBT;IPM;并聯(lián)均流...[繼續(xù)閱讀]

    碳化硅功率器件;芯片雙面銀燒結(jié);銅線鍵合...[繼續(xù)閱讀]

    IGCT;緊固力;陰極梳條;中間門極;邊緣門極...[繼續(xù)閱讀]

    IGBT;失效能量;短路試驗(yàn);爆轟波;管殼損壞程度評(píng)估法...[繼續(xù)閱讀]

    4H-SiC MOSFET;總劑量效應(yīng);閾值漂移;柵極偏置;退火...[繼續(xù)閱讀]

    柵極電壓延時(shí);溫敏電參數(shù);結(jié)構(gòu)函數(shù);碳化硅MOSFET;熱阻...[繼續(xù)閱讀]

    雙碳;三族氮化物;GaN;功率半導(dǎo)體...[繼續(xù)閱讀]

    銅夾;應(yīng)力集中;SiC;有限元仿真;功率循環(huán)...[繼續(xù)閱讀]

    無(wú)基板功率器件;有限元;穩(wěn)態(tài)熱仿真;熱界面材料;空洞率;結(jié)溫...[繼續(xù)閱讀]

    功率循環(huán);鍵合線;環(huán)氧樹(shù)脂;玻璃化轉(zhuǎn)化溫度;COMSOL...[繼續(xù)閱讀]