碳化硅MOSFET基于柵壓延時關(guān)斷方法的結(jié)溫監(jiān)測技術(shù)研究

摘要： 準確監(jiān)測功率器件結(jié)溫一直是器件廠商及應(yīng)用端非常重要的一項工作。主流的溫敏電參數(shù)法由于響應(yīng)速度快、測量準確，被廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域。目前在硅基器件應(yīng)用上已相對成熟，然而由于碳化硅器件的高開關(guān)特性及柵極氧化層缺陷，采用電參數(shù)法會產(chǎn)生更強烈的寄生振蕩與高頻EMI噪聲，這對于測量器件初始溫度會帶來很大的誤差，因此文章提出一種柵壓延時關(guān)斷的改進電參數(shù)法測試方案，抑制器件關(guān)斷階段的VDS振...