柵極偏置對SiC MOSFET總劑量效應的影響及加固

摘要： 文章針對總劑量效應造成的MOSFET閾值漂移問題，使用1 200 V SiC MOSFET進行輻照試驗，對柵極偏壓和輻照后高溫柵極偏置退火對閾值漂移的影響和原理進行了研究。通過中帶電壓法分析發(fā)現(xiàn)，造成閾值電壓負向漂移的主要原因是輻照產(chǎn)生的空穴被近界面陷阱俘獲。通過對不同柵極氧化層退火條件制備的SiC MOSFET試驗和分析，得出了當使用氮化氣體退火進行總劑量效應加固時，需要折中...