熱界面材料層空洞對(duì)有無(wú)基板IGBT模塊芯片結(jié)溫影響對(duì)比研究

摘要： 新興的無(wú)基板模塊廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域，其對(duì)熱界面材料的涂敷要求較高，但相關(guān)的研究目前較少。文章針對(duì)熱界面材料（Thermal Interface Material,TIM）層空洞率不同時(shí)，對(duì)有、無(wú)基板IGBT模塊上的芯片結(jié)溫變化規(guī)律進(jìn)行了仿真研究。通過(guò)建立精確數(shù)值模型進(jìn)行穩(wěn)態(tài)熱仿真試驗(yàn)，根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果定量分析有、無(wú)基板模塊上的芯片結(jié)溫受TIM空洞影響程度。結(jié)果表明，相比無(wú)基板模塊...