雙碳目標(biāo)下的三族氮化物功率半導(dǎo)體技術(shù)

摘要： 能源生產(chǎn)清潔化和能源消費(fèi)電氣化是我國(guó)“雙碳”政策的必經(jīng)之路，功率半導(dǎo)體技術(shù)在這2個(gè)過(guò)程中發(fā)揮著重要作用。以氮化鎵（GaN）為代表的三族氮化物功率半導(dǎo)體基于其優(yōu)異的材料物理特性，未來(lái)應(yīng)用前景廣闊。歷經(jīng)二十余年產(chǎn)業(yè)鏈上下游技術(shù)發(fā)展，目前GaN功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵共性技術(shù)，諸如大尺寸Si襯底上高耐壓GaN材料外延、穩(wěn)定常關(guān)型器件的制備以及與CMOS兼容的GaN工藝制備等，已逐步得到解決，...