白光是由可見光區(qū)各種波長的光按一定比例組成。只有當對可見光區(qū)各種波長光的光程差等于零或等于幾個波長時，才可能觀察到白光的干涉條紋。以楊氏干涉實驗為例,說明白光干涉條紋的特點。在這種裝置中,當以單色光照明狹縫...[繼續(xù)閱讀]

    日本理論物理學家。1911年1月18日生于日本東京。1933年畢業(yè)于京都帝國大學物理系；1941年以《介子自發(fā)衰變的理論研究》的論文獲理學博士學位；1942年任名古屋大學教授，在該大學創(chuàng)設基本粒子研究室，終生從事基本粒子理論研究...[繼續(xù)閱讀]

    見固體中的彈性波。...[繼續(xù)閱讀]

    指導電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料，一般規(guī)定電阻率在10-3歐姆厘米和109歐姆厘米之間。按內部電子結構區(qū)分，半導體與絕緣體相似，它們所包含的價電子數(shù)恰好能填滿價帶，并由禁帶和上面的導帶隔開（見固體的能帶）...[繼續(xù)閱讀]

    半導體受光照而引起電導率的改變。最早是1873年W.史密斯在硒上發(fā)現(xiàn)的。20世紀的前40年內，又先后在氧化亞銅、硫化鉈、硫化鎘等材料中發(fā)現(xiàn)，并利用這現(xiàn)象制成幾種可用作光強測量及自動控制的光電管。自40年代開始，由于半導...[繼續(xù)閱讀]

    指應力作用下半導體電阻率的變化。在一些半導體中有相當大的壓阻效應，這與半導體的電子能帶結構有關?！　鹤栊歉飨虍愋缘?，要用壓阻張量π(四階張量)來描述,它與電阻率變量張量δρ(二價張量)和應力張量k(二階張量...[繼續(xù)閱讀]

    見半導體器件。...[繼續(xù)閱讀]

    用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料，通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素，達到半導體材料的摻雜目的。目前，只有中子嬗變摻雜(NDT)得到了實際應用。此方法的原理是K.拉克－霍羅維茨于1951年提出的...[繼續(xù)閱讀]

    是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互連，"集成"在一塊半導體單晶（主要是硅單晶）片上。它完成特定的電路或系統(tǒng)功能。這種集成電路與過去將各個電子元件分別封裝，然后裝配在一起...[繼續(xù)閱讀]

    用半導體做成的器件其種類十分繁多，其中最主要的是半導體電子器件和半導體光電器件兩大類?！　“雽w電子器件　最基本的兩種器件是晶體二極管（簡稱二極管）和晶體三極管（簡稱晶體管）?！　【w二極管的基本結構是...[繼續(xù)閱讀]