半導(dǎo)體硅材料CMP三維有限元分析

摘要： 利用有限元仿真方法分析了四軸多片式單面拋光系統(tǒng)的拋光壓力分布，建立三維準(zhǔn)靜態(tài)非軸對(duì)稱模型，設(shè)定了模型部件尺寸和材料物性參數(shù)，設(shè)定模型假設(shè)條件和邊界約束，使用有限元軟件計(jì)算不同拋光墊楊氏模量和不同載荷條件下對(duì)硅片表面法向應(yīng)力的影響，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了硅片表面法向應(yīng)力非均勻性（NSNU）與拋光去除非均勻性（WIWNU）的對(duì)應(yīng)關(guān)系。拋光工作狀態(tài)中拋光盤、陶瓷板的最大形變量為納米級(jí)別，對(duì)硅片品...