EAST裝置中TZM材料基底表面硅化鍍膜特性研究

摘要： 文章研究了EAST聚變裝置中，在離子回旋（ICRF）和直流輝光（GD）兩種放電輔助下氘化硅烷與氦的混合氣體（10%SiD4+90%He）在第一壁鈦鋯鉬合金（Titanium-zirconium-molybdenum,TZM）表面硅化鍍膜的特性。實驗結果表明，相同工作功率的ICRF輔助硅化，烘烤溫度更高比烘烤溫度低的樣件表面沉積的硅膜均勻光滑。這可能是由于樣件表面烘烤溫度越高，越...