單柵脈沖反應(yīng)離子束刻蝕二氧化硅實(shí)驗(yàn)研究

摘要： 為了提高刻蝕速率及降低刻蝕表面均方根粗糙度，文章采用脈沖引出單柵極反應(yīng)離子源實(shí)驗(yàn)研究了SF₆/Ar離子束刻蝕二氧化硅過程中，氣體比例、射頻功率、氣體總流量、脈沖偏壓電源的占空比、入射角對刻蝕速率、均方根粗糙度的影響規(guī)律。結(jié)果表明，在不同條件下，射頻功率對刻蝕速率、均方根粗糙度的影響規(guī)律是不同的；SF₆氣體占比越高，刻蝕速率相對越大；隨著氣體總流量的增加，刻蝕速率逐漸增加，均...