回跳現(xiàn)象對(duì)RC-IGBT器件功率循環(huán)測(cè)試的影響
中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 13 2022-03-12
摘要： 逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管(reverse conducting insulated gate bipolar transistor,RC-IGBT)是一種新型IGBT器件，其在IGBT芯片結(jié)構(gòu)中集成了一個(gè)快恢復(fù)二極管，具有成本低、封裝工藝簡(jiǎn)單、功率密度高、抗浪涌電流能力高等特點(diǎn)，因而備受工業(yè)界關(guān)注，對(duì)其可靠性的要求也越來(lái)越高。但是，由于RC-IGBT器件特殊的芯片結(jié)構(gòu)，使得其輸...
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