10kV高壓SiC GTO模塊的研制

摘要： 文中提出一款基于自主設計的尺寸為8mm×8mm的10kV碳化硅(silicon carbide, SiC)門極可關斷晶閘管(gate-turn-off thyristor,GTO)單芯片封裝的焊接式模塊。詳細介紹10kV SiC GTO模塊的設計與制造工藝，通過對比裸芯片與封裝后模塊在10.5kV阻斷電壓下的漏電流，驗證模塊絕緣設計冗余和封裝工藝，對模塊的動態(tài)、靜態(tài)、極限過流能...