18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串聯(lián)應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)研究
中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁數(shù): 12 2023-02-14
摘要: 高壓碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)異特性,已成為支撐未來新型電力系統(tǒng)建設(shè)的新型電力電子器件。文中基于自主研制的18k V/12.5A高壓SiC絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)芯片,提出18k V SiC IGBT單芯片子模組及10芯片并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)方案,研制18k ...