壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對(duì)其并聯(lián)時(shí)開通均流的影響
中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 14 2022-08-25
摘要: 壓接型絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的多芯片并聯(lián)技術(shù)已成為大功率器件設(shè)計(jì)的核心之一,而并聯(lián)壓接型IGBT芯片的開通均流問(wèn)題因續(xù)流二極管反向恢復(fù)的存在需被重點(diǎn)關(guān)注。為研究壓接型IGBT芯片的參數(shù)分散性對(duì)其并聯(lián)時(shí)開通均流的影響,文中首先根據(jù)IGBT單芯片的開通機(jī)理和波形揭示芯片參數(shù)對(duì)IGBT開通各個(gè)階段內(nèi)集電極電流變...