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氮化鋁絕緣層改性的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜儲(chǔ)能性能研究

中國電機(jī)工程學(xué)報(bào) 頁數(shù)： 10 2022-11-10
摘要： 聚偏氟乙烯(poly(vinylidene fluoride),PVDF)及其共聚物因具有高介電常數(shù)而備受關(guān)注，然而高電場(chǎng)下嚴(yán)重極化損耗和電導(dǎo)損耗限制了其更廣泛的應(yīng)用。在該研究中，應(yīng)用磁控濺射技術(shù)將氮化鋁(aluminum nitride,AlN)薄層沉積到聚(偏氟乙烯–三氟乙烯–氯氟乙烯)(poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-...

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