基于寄生電感優(yōu)化的分立式SiC MOSFET器件壓接封裝方法研究

摘要： 現(xiàn)有沿用傳統(tǒng)Si器件TO-247-3封裝的分立式SiC MOSFET器件受限于鍵合線和平面換流回路，封裝寄生電感偏大，增大器件高頻工況下的開關損耗。對此，該文提出一種去鍵合線、具有垂直換流回路的低寄生電感分立式SiC MOSFET器件壓接封裝方法。首先，基于封裝結構，評估現(xiàn)有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封裝寄生電感的分布特性；其次，針對小尺寸SiC MOSFE...