橋式電路中SiC MOSFET串?dāng)_峰值預(yù)測(cè)算法研究
中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 13 2023-03-19
摘要： 文中針對(duì)串?dāng)_電壓峰值與驅(qū)動(dòng)回路阻抗間的非線(xiàn)性關(guān)系，分段分析共源電感存在時(shí)串?dāng)_產(chǎn)生機(jī)理，提出一種碳化硅(silicon carbide,SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串?dāng)_電壓的分析模型及預(yù)測(cè)算法。所提算法綜合考慮共源電感、非線(xiàn)性極間電容等寄生參數(shù)與探頭接線(xiàn)的影響，...
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