基于實驗與仿真的SiC JFET單粒子效應研究

摘要： 我國航天事業(yè)發(fā)展迅速，大型空間平臺的建設以及高性能電推進系統(tǒng)的應用對功率半導體器件的性能提出了越來越高的要求。SiC高壓功率器件抗輻射研究亟待突破。對SiC JFET器件施加不同的偏置電壓，進行重離子輻照實驗，實驗表明，SiC JFET器件存在與SiC MOSFET類似的單粒子漏電退化與單粒子燒毀2種失效模式，漏電退化程度與漏極偏置電壓、重離子注量呈正相關。通過Sentauru...