一種新型高抗輻照可配置SOI器件技術

摘要： 本文介紹了一種新型的高抗輻照可配置SOI(configurable-SOI, CSOI)器件技術。CSOI器件在制備完成后，可以通過改變配置層電壓，實現(xiàn)對總劑量輻照引起的性能退化進行補償、對單粒子引起寄生晶體管放大進行抑制，從而提升器件的抗輻照性能?；贑SOI工藝，研制出了高抗輻照4kb SRAM驗證芯片。輻照實驗證實，該芯片的抗總劑量水平達到6 Mrad(Si)、單粒子翻轉(zhuǎn)...