位移損傷效應對AlGaN/GaN HEMT器件的影響

摘要： 對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)分別進行3 MeV質(zhì)子輻照和14 MeV中子輻照實驗。3 MeV質(zhì)子輻照下累積注量達到1×10¹⁵ cm^-2或14 MeV中子輻照下累積注量達到2×10¹³ cm^-2時，AlGaN/GaN HEMTs飽和漏電流下降，閾值電壓正向漂移，峰值跨導降低。分別對3 MeV質(zhì)子輻照和14 MeV中子輻照后的AlGa...