TFT柵極刻蝕負(fù)載效應(yīng)及解決方案
液晶與顯示
頁數(shù): 8 2023-08-14
摘要: 在薄膜晶體管(Thin film transistor,TFT)的柵極(Gate)刻蝕制程中,顯示區(qū)(AA區(qū))和引線區(qū)(Fanout區(qū))因布線密度差異而存在刻蝕負(fù)載效應(yīng),兩區(qū)域刻蝕程度差異大,刻蝕時(shí)間難以確定。抑制柵極刻蝕制程中的刻蝕負(fù)載效應(yīng),對(duì)品質(zhì)確保具有積極意義。本文分析了濕法刻蝕微觀過程,提出增加刻蝕液噴淋流量抑制刻蝕負(fù)載效應(yīng)的方案。將增加噴淋流量的方案轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)3個(gè)刻蝕...