Micro-LED器件：從極性c面到非極性或半極性的發(fā)展趨勢

摘要： 氮化鎵作為第三代照明器件材料相較于第一代硅與第二代砷化鎵在性能上有了很大提高，基于氮化鎵的MicroLED器件也愈發(fā)被人們所關(guān)注。然而由于在傳統(tǒng)c面上生長的LED其自身所固有的一些缺陷往往在實際應(yīng)用中發(fā)射效率不高，如存在量子限制斯塔克效應(yīng)、綠色間隙、載流子傳輸?shù)葐栴}?；诜菢O性或半極性的LED沒有極化電場，具有較強的內(nèi)量子效率，電子和空穴復(fù)合機率大等優(yōu)點，對非極性和半極性Mic...