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H2對(duì)HfO2襯底上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積石墨烯的影響

稀有金屬與硬質(zhì)合金 頁數(shù)： 7 2023-10-20
摘要： HfO2薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要材料，而采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)在HfO2襯底上原位生長石墨烯是極具潛力的一種石墨烯制備方法，這種方法有助于降低石墨烯轉(zhuǎn)移過程對(duì)石墨烯質(zhì)量的影響，從而提高石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。使用真空電子束蒸鍍方法在重?fù)诫s單拋硅片襯底上分別于50、150、250℃下沉積了100 nm厚的HfO2薄膜樣品；隨后選...

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