硅片納秒激光附加電流打孔實驗研究

摘要： 針對硅片具有反射率高、吸收率低等缺點，為了提高納秒激光(波長為355 nm)在硅片上打孔蝕除材料效率，設(shè)計附加電流場裝置，建立單脈沖燒蝕閾值模型，經(jīng)過實驗計算得到硅片燒蝕閾值為1.885 J/cm~2。采用電流場輔助激光環(huán)切式進(jìn)行硅片打孔，分別在激光加工次數(shù)和附加電流不同時做實驗研究，當(dāng)激光加工次數(shù)較少而附加電流較大時，激光加工的微孔入口孔和出口孔直徑均顯著增加，錐度減小，蝕除...