雜化泛函HSE和PBE0計算CsPbI₃缺陷性質(zhì)的比較研究（英文）

摘要： 在鹵族鈣鈦礦材料的缺陷研究中,密度泛函理論計算發(fā)揮著重要作用。傳統(tǒng)的半局域泛函(如PBE)雖然能夠得到與實驗接近的禁帶寬度,但是已有研究表明其不能準確描述材料的帶邊位置。采用更準確的雜化泛函,結(jié)合自旋軌道耦合(SOC)效應(yīng)與充分的結(jié)構(gòu)優(yōu)化開展缺陷研究十分必要?？梢赃x擇兩種雜化泛函,即屏蔽的雜化泛函HSE和非屏蔽的雜化泛函PBE0。本研究以正交相CsPbI₃為例,系統(tǒng)比較了兩種...