基于二維鈣鈦礦(PEA)₂PbI₄的光電探測器

摘要： 二維(2D)鈣鈦礦以其固有的量子阱結(jié)構(gòu)、較大的激子結(jié)合能和良好的穩(wěn)定性,在光電應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣闊的前景。然而,提高二維鈣鈦礦薄膜質(zhì)量、降低成本并簡化制備工藝仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)。本工作在低退火溫度(80℃)且無需其他特殊處理的條件下,采用溶液法制備高質(zhì)量二維鈣鈦礦(PEA)₂PbI₄薄膜,并進一步制備了光電探測器。結(jié)果表明,這種光電探測器有較低的暗電流(10~(–11) A)...