低位錯密度8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底制備

摘要： 碳化硅具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能,在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通信等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC襯底在降低器件單位成本、增加產(chǎn)能供應(yīng)方面具有巨大的潛力,成為行業(yè)重要的技術(shù)發(fā)展方向。近期山東大學(xué)與廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理氣相傳輸法(Physical vapor transp...