化學(xué)氣相滲透碳化硅增強(qiáng)石墨泡沫的溫度效應(yīng)研究

摘要： 通過化學(xué)氣相滲透技術(shù)，在中間相瀝青基石墨泡沫內(nèi)部沉積了碳化硅涂層；研究了不同沉積溫度對(duì)碳化硅形貌、晶體結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明，1 223 K可以制備完整的碳化硅涂層，沉積速率較慢，晶粒尺寸較??；溫度超過1 423 K,易在石墨表面沉積生成熱解炭，比強(qiáng)度開始下降。低溫沉積時(shí)，臨界形核自由能下降，形成的核芯數(shù)目增加，有利于形成晶粒細(xì)小而連續(xù)的SiC涂層組織，1 273 K和1 ...