大氣壓等離子體射流放電參數(shù)對(duì)沉積氧化鈦薄膜特性的影響

摘要： 大氣壓等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)功能薄膜技術(shù)受到廣泛的關(guān)注，但等離子體的作用機(jī)理仍有待進(jìn)一步探討。利用針-板電極大氣壓電暈Ar等離子體射流，在不同放電頻率條件下，對(duì)單、雙脈沖的放電參數(shù)及沉積TiO₂薄膜的性質(zhì)進(jìn)行比較，闡明了脈沖放電特性對(duì)等離子體參數(shù)和TiO₂薄膜生長(zhǎng)的影響，進(jìn)而推斷AP-PECVD中等離子體的作用機(jī)理。結(jié)果表明：?jiǎn)蝹€(gè)電壓周期內(nèi)，放電電流呈...