一種環(huán)形柵LDMOS器件的宏模型

摘要： 提出了一種適用于環(huán)形柵LDMOS器件的子電路宏模型。基于對環(huán)形柵LDMOS器件結構的分析，將環(huán)形柵LDMOS器件分為兩個部分，一個是中間的條形柵MOS部分，使用常規(guī)的高壓MOS模型；另一個是端頭部分，為一個圓環(huán)形柵極MOS器件，采用了一個單獨的模型?；?0 V BCD工藝的N溝道LDMOS器件進行模型提取與驗證。結果表明，建立的宏模型具有較強的幾何尺寸縮放功能，對于不同尺寸的...