硅基超薄柔性芯片的力學(xué)和電學(xué)特性研究進(jìn)展

摘要： 全面綜述了硅基超薄柔性芯片在單軸彎曲應(yīng)力下的力學(xué)和電學(xué)特性研究進(jìn)展，包括彎曲形變的測試方法及應(yīng)力計算公式，彎曲應(yīng)力對器件及單元電路響應(yīng)特性的影響，以及考慮應(yīng)力效應(yīng)的器件建模方法。彎曲應(yīng)力會導(dǎo)致MOSFET的遷移率、閾值電壓、漏極電流等關(guān)鍵電參數(shù)發(fā)生變化，且變化率與所施加的應(yīng)力大小和方向均密切相關(guān)。將器件電學(xué)參數(shù)隨應(yīng)力變化的數(shù)學(xué)關(guān)系與常規(guī)的器件模型相結(jié)合，可得到適用于柔性可彎曲器...