碳化硅功率器件高密度互連技術(shù)研究進(jìn)展
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù): 7 2023-06-20
摘要: 相比于硅,SiC材料因具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、高擊穿電壓、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)而在耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件中得到了廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的引線鍵合是功率器件最常用的互連形式之一。然而,引線鍵合固有的寄生電感和散熱問(wèn)題嚴(yán)重限制了SiC功率器件的性能。文章首先介紹了硅功率器件的低寄生電感和高效冷卻互連技術(shù),然后對(duì)SiC功率器件互連技術(shù)的研究進(jìn)行了綜述。最后,總結(jié)了SiC功...