磷砷注入對(duì)溝槽MOSFET靜態(tài)參數(shù)的影響
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù): 5 2023-08-20
摘要: 為了降低溝槽MOSFET器件導(dǎo)通電阻,提出了在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件體區(qū)注入N型雜質(zhì)的方案,優(yōu)化了體區(qū)雜質(zhì)濃度分布,從而降低導(dǎo)通電阻。經(jīng)仿真驗(yàn)證,選擇N~+源區(qū)注入后注入砷,在能量為300 keV,劑量為7×10
12 cm
-2條件下,特征導(dǎo)通電阻能降低13%,閾值電壓降低21.8%;選擇接觸孔刻蝕后注入磷,在能量為100 keV,劑量為4×10
12 cm~(...