一種P-GaN柵結(jié)合混合帽層結(jié)構(gòu)的HEMT器件

摘要： 為了進(jìn)一步提升P-GaN柵HEMT器件的閾值電壓和擊穿電壓，提出了一種具有P-GaN柵結(jié)合混合摻雜帽層結(jié)構(gòu)的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)。新器件利用混合摻雜帽層結(jié)構(gòu)，調(diào)節(jié)整體極化效應(yīng)，可以進(jìn)一步耗盡混合帽層下方溝道區(qū)域的二維電子氣，提升閾值電壓。在反向阻斷狀態(tài)下，混合帽層可以調(diào)節(jié)柵極右側(cè)電場分布，改善柵邊電場集中現(xiàn)象，提高器件的擊穿電壓。利用Sentaurus TCAD...