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一種JFET區(qū)域具有N型重?fù)诫s的1200 V碳化硅淺槽平面MOSFET器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù)： 6 2023-07-13
摘要： 介紹了一種在JFET區(qū)域采用淺槽N型重?fù)诫s降低器件比導(dǎo)通電阻與開(kāi)啟損耗的1 200 V碳化硅平面柵MOSFET器件。采用淺槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，減小了器件柵源電容C_(GS)及柵漏電容與柵源電容比值C_(GD)/C_(GS),降低了器件的開(kāi)啟損耗。淺槽下方采用的N型重?fù)诫s使得器件反型層溝道壓降明顯提高，使器件獲得了更低的比導(dǎo)通電阻。仿真結(jié)果表明，相比于平面柵MOSFET器件，開(kāi)啟損耗降低...

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