一種基于InP DHBT的CB Stack功率放大器設(shè)計

摘要： 設(shè)計了一種中心頻率為75 GHz的單級MMIC功率放大器，基于0.8μm InP DHBT器件制造，該器件f_t/f_(max)為171/250 GHz。電路采用兩層共基堆疊(CB Stack)結(jié)構(gòu)，其中下層共基偏置采用基極直接接地，輸入端發(fā)射極采用-0.96 V負壓供電的方式，偏置電壓V_(c2)為4 V。為了提高輸出功率，上下兩層器件進行了四指并聯(lián)設(shè)計。此外，采用同樣器件設(shè)...