低壓應(yīng)用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù): 6 2023-10-20
摘要: 提出了一種適用于低電壓工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,開(kāi)展了材料外延結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),在SiC襯底上生長(zhǎng)了AlN/GaN外延材料?;诖瞬牧祥_(kāi)展了器件制作,優(yōu)化了高溫快速退火工藝,獲得良好的歐姆接觸電阻。對(duì)所制備的器件進(jìn)行直流測(cè)試,結(jié)果顯示,電流輸出能力為2.4 A/mm,跨導(dǎo)極值為518 mS/mm,小信號(hào)f_t達(dá)到85 GHz,f_(max)大于141 GHz。...