浮動(dòng)電極對(duì)屏蔽柵溝槽型MOSFET特性的影響
微電子學(xué)
頁數(shù): 7 2023-10-20
摘要: 提出了在屏蔽柵溝槽型MOSFET(SGT)的溝槽側(cè)壁氧化層中形成浮動(dòng)電極的結(jié)構(gòu),通過改善電場(chǎng)分布,優(yōu)化了特征導(dǎo)通電阻與特征柵漏電容。在傳統(tǒng)SGT結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,僅通過增大外延層摻雜濃度,改變浮動(dòng)電極的長(zhǎng)度和位置以及氧化層厚度,最終得到擊穿電壓為141.1 V、特征導(dǎo)通電阻為55 mΩ·mm~2、特征柵漏電容為4.72 pF·mm
-2的浮動(dòng)電極結(jié)構(gòu)。與相同結(jié)構(gòu)參數(shù)的SGT結(jié)構(gòu)...