C波段全集成GaN MMIC Doherty功率放大器設計

摘要： 采用0.25μm氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）工藝設計了一種全集成單片微波集成電路（MMIC）多爾蒂（Doherty）功率放大器（DPA）。采用了新型的拓撲結構，去除了傳統(tǒng)DPA中主路放大器的阻抗變換器以及兩路合成后的阻抗轉換器，直接在主路輸出匹配網(wǎng)絡（OMN）中實現(xiàn)飽和點和回退點的阻抗的轉換，采取適當?shù)淖杩梗c傳統(tǒng)電路相比，降低了阻抗轉換率，拓寬了頻帶。此外功率...