單晶硅等離子體放電去除機(jī)制研究

摘要： 針對單晶Si在接觸式化學(xué)機(jī)械拋光與非接觸式等離子體拋光過程中表面易引入化學(xué)元素殘留、微劃痕及材料去除速率低等問題，提出一種單晶Si等離子體放電去除的非接觸式綠色拋光方法。在脈沖電壓大于100 V的水基工作液介質(zhì)中，高阻態(tài)隔離蒸汽層因電子通量的小曲率匯聚而導(dǎo)致?lián)舸┎⒄T發(fā)氧等離子體通道，陽極單晶Si表面微區(qū)凸起位置因氧等離子體增強(qiáng)陽極化學(xué)反應(yīng)而生成SiO₂疏松膜，脈沖間歇期等離子...