基于Borderline-SMOTE-LightGBM的直拉硅單晶放肩斷棱預(yù)測

摘要： 隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，硅單晶作為最重要的半導(dǎo)體材料，對其品質(zhì)的要求也日益提升。在多場耦合的復(fù)雜高溫高壓環(huán)境下，直拉硅單晶的生長過程具有明顯的非線性特征，難以建立準確的機理模型，同時硅單晶生產(chǎn)數(shù)據(jù)存在類別不平衡問題。針對上述問題，提出一種基于Borderline-SMOTE-LightGBM的放肩斷棱預(yù)測模型。首先，對生產(chǎn)數(shù)據(jù)進行預(yù)處理，生成樣本數(shù)據(jù)，然后，通過Border...