鍺硅非對稱耦合量子阱相位調(diào)制器特性的研究

摘要： 為了研究和論證鍺硅材料體系在器件的工藝制備和理論性能上的優(yōu)勢，拓展鍺硅量子阱結(jié)構(gòu)的應(yīng)用范圍，采用數(shù)值仿真結(jié)合實際器件制備的方法，進行了理論分析和實驗驗證，設(shè)計了一種基于Ge/SiGe非對稱耦合量子阱材料的光學(xué)相位調(diào)制器，并在實驗測試中驗證了該理論的正確性。結(jié)果表明，當(dāng)電場超過40 kV/cm時，該材料在1450 nm波長處可以達到最高0.01的電致折射率變化；經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)，實際制...