不同環(huán)境中納秒激光燒蝕單晶硅的物質(zhì)拋出機(jī)理

摘要： 為了探究納秒激光燒蝕單晶硅過程中熔融物質(zhì)的噴濺過程，對不同加工環(huán)境中納秒激光燒蝕單晶硅的過程進(jìn)行了模擬仿真及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。采用Level-Set界面追蹤法，通過仿真軟件建立有限元模型，對空氣、靜水和真空加工環(huán)境中納秒激光燒蝕單晶硅時(shí)物質(zhì)拋出過程進(jìn)行模擬仿真，研究了不同加工環(huán)境中溫度場、速度場對表面噴濺的影響；采用波長266 nm、脈寬30 ns和頻率50 Hz的單脈沖激光燒蝕單晶硅...