低濃度Ge摻雜及Sn、Ge替換CsPbI₃的電光學性質(zhì)

摘要： 基于第一性原理計算軟件Siesta，分析了全無機鈣鈦礦材料CsBI₃(B=Pb,Sn,Ge）的結(jié)構(gòu)、電學性質(zhì)和光學性質(zhì)。首先，基于GGA-PBE和GGA-PBEsol方法獲得穩(wěn)定的材料結(jié)構(gòu)。其次，基于GGA-PBE和GGA-BLYP兩種密度泛函方法分析了材料的帶隙，并且通過改變材料的晶格常數(shù)，模擬材料產(chǎn)生的應變，對比發(fā)現(xiàn)材料的帶隙隨著晶格常數(shù)的增加而增加。此外，在超胞CsPb...