氧化限制結(jié)構(gòu)940 nm垂直腔面發(fā)射激光器

摘要： 為研究氧化限制結(jié)構(gòu)孔徑對940 nm垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）特性的影響，制備了不同氧化孔徑的940 nm VCSEL，并進(jìn)行了測試分析。通過PICS3D軟件對不同量子阱勢壘材料的增益進(jìn)行仿真計算，選取具有較高有源區(qū)材料增益的InGaAs/AlGaAs作為量子阱，并開展了增益-腔模失配設(shè)計。在設(shè)計優(yōu)化的基礎(chǔ)上，制備了6種氧化孔徑的940 nm VCSEL，對其光電輸出特性...