InGaN基藍(lán)光激光器p型波導(dǎo)層和有源區(qū)優(yōu)化研究
激光與光電子學(xué)進(jìn)展
頁數(shù): 6 2022-11-03
摘要: 為了進(jìn)一步提升藍(lán)光激光器的性能,基于實(shí)驗(yàn)樣品結(jié)構(gòu),詳細(xì)研究了不同結(jié)構(gòu)的p型波導(dǎo)層和有源區(qū)的組合對InGaN基邊發(fā)射藍(lán)光激光器性能的影響。利用PICS3D軟件模擬計(jì)算其光輸出功率-電流-電壓特性曲線、能帶結(jié)構(gòu)、載流子電流密度分布、激射復(fù)合率等光電特性。結(jié)果表明,In組分漸變的p型波導(dǎo)層和前兩個(gè)量子壘層、最后一個(gè)量子壘層使用AlGaN材料的新結(jié)構(gòu),可以很好地抑制電子泄漏,增加空穴注...