IGBT模塊動態(tài)雪崩測試研究

摘要： 在IGBT關(guān)斷過程中，當(dāng)芯片內(nèi)部產(chǎn)生巨大的電場時會發(fā)生動態(tài)雪崩現(xiàn)象。文章通過設(shè)計試驗方案并加以驗證，探究了不同試驗變量對IGBT動態(tài)雪崩以及雪崩耐量的影響。結(jié)果表明，電流和電感會對模塊動態(tài)雪崩產(chǎn)生極大的影響，柵極電阻能夠延緩模塊內(nèi)部動態(tài)雪崩的發(fā)生并提升模塊雪崩耐量，母線電壓也會對模塊雪崩耐量的提升產(chǎn)生巨大影響，常溫和高溫下模塊的雪崩耐量差距大。