開通脈寬對功率半導體器件雙脈沖測試的影響

摘要： 為更好地開展功率半導體器件的雙脈沖測試，文章系統(tǒng)性地研究了開通脈寬對功率半導體器件雙脈沖測試的影響。通過理論分析結(jié)合仿真驗證的方式分別研究了IGBT器件和MOSFET器件開關特性與開通脈寬之間的關系，研究發(fā)現(xiàn)，IGBT器件和MOSFET器件都會受到關斷延時電流偏差和測量自熱效應的影響：如果開通脈寬太小，關斷延時電流偏差會影響雙脈沖測試結(jié)果；如果開通脈寬太大，測量自熱效應會顯著影...