碳化硅超結(jié)器件的研究進(jìn)展

摘要： 碳化硅（SiC）材料由于其出色的物理和化學(xué)特性，非常適用于制造高溫和大功率半導(dǎo)體器件。雖然SiC功率二極管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）展示了出色的器件性能，并獲得廣泛的應(yīng)用，但是其單極型器件的一維理論極限仍限制了傳統(tǒng)器件性能的進(jìn)一步提升。超結(jié)（SJ）作為一種在硅基器件中廣泛應(yīng)用的技術(shù)，能明顯改善器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻之間的折中關(guān)系，提升器件的性能。近年來...