帶有原位生長SiN_x絕緣層的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件（英文）

摘要： 本文采用金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長原位SiNx柵介質(zhì)制備了用于Ka波段高功率毫米波應(yīng)用的AlN/GaN金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（MIS-HEMTs）。原位生長SiN_x柵介質(zhì)顯著抑制了柵反向漏電、柵介質(zhì)/AlN界面態(tài)密度和電流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_(GS)=2 V時最大飽和輸出電流為2.2 A/mm，峰值跨導(dǎo)為509 m S/mm，在V_(...