一種新型環(huán)形上DBR刻蝕微結(jié)構(gòu)VCSEL及其空心光束（英文）

摘要： 設計了帶有質(zhì)子注入高阻區(qū)的刻蝕微結(jié)構(gòu)面發(fā)射半導體激光器結(jié)構(gòu)，使得從出光口到上DBR形成環(huán)形波導，進而直接產(chǎn)生空心激光束輸出。使用FDTD軟件計算了刻蝕微結(jié)構(gòu)VCSEL的光場分布，得到的環(huán)形模式圖樣在不同模式數(shù)目下都能保持空心光束的特性。制備了室溫下激射波長為848 nm的微結(jié)構(gòu)VCSEL，并測試其輸出特性。閾值電流為0.27 A，峰值功率最高可達170 mW。不同電流下的近場圖...